Broadwell, 10 ядер, частота 2.2 ГГц + 25 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W
Основные
Бренд:
intel
Общая информация
Дата выхода на рынок:
2016
Технические характеристики
Hyper-Threading:
Боксовая версия:
Виртуализация Intel VT-d:
Виртуализация Intel VT-x:
Встроенная графика:
Встроенный контроллер PCI Express:
Защищенная платформа Intel TXT:
Кодовое название кристалла:
Broadwell
Количество каналов памяти:
4
Количество ядер:
10
Кэш L3:
25 МБ
Макс. частота памяти:
2133
Максимальная Turbo-частота:
3.1
Модельный ряд:
Xeon
Поддержка памяти:
- ddr4
Сокет:
- lga2011-3
Тактовая частота:
2.2
Толщина транзистора:
14
Энергопотребление (TDP):
85