Broadwell E, 8 ядер, частота 3.2 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 140W
Основные
Бренд:
intel
Общая информация
Дата выхода на рынок:
2016
Технические характеристики
Hyper-Threading:
Боксовая версия:
Виртуализация Intel VT-d:
Виртуализация Intel VT-x:
Встроенная графика:
Встроенный контроллер PCI Express:
Защищенная платформа Intel TXT:
Кодовое название кристалла:
Broadwell E
Количество каналов памяти:
4
Количество ядер:
8
Кэш L3:
20 МБ
Макс. частота памяти:
2400
Максимальная Turbo-частота:
4
Модельный ряд:
Core i7
Поддержка памяти:
- ddr4
Сокет:
- lga2011-3
Тактовая частота:
3.2
Толщина транзистора:
14
Энергопотребление (TDP):
140