Haswell-E, 8 ядер, частота 3 ГГц, кэш 2 МБ + 20 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA2011-3, TDP 140W
Основные
Бренд:
intel
Общая информация
Дата выхода на рынок:
2014
Технические характеристики
Hyper-Threading:
Боксовая версия:
Виртуализация Intel VT-d:
Виртуализация Intel VT-x:
Встроенная графика:
Встроенный контроллер PCI Express:
Защищенная платформа Intel TXT:
Кодовое название кристалла:
Haswell-E
Количество каналов памяти:
4
Количество ядер:
8
Кэш L2:
2 МБ
Кэш L3:
20 МБ
Максимальная Turbo-частота:
3.5
Модельный ряд:
Core i7
Поддержка памяти:
- ddr4
Сокет:
- lga2011-3
Тактовая частота:
3
Толщина транзистора:
22
Энергопотребление (TDP):
140