1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Основные
CAS Latency:
11
ECC:
PC-индекс:
PC3-12800
Бренд:
Samsung
Набор:
1 модуль
Напряжение питания:
1.35
Объём:
4 ГБ
Тайминги:
11-11-11
Тип:
DDR3 DIMM
Частота:
1600
Технические характеристики
Ёмкость микросхем:
4 Гбит
Количество ранков:
1
Профили AMP:
Профили XMP:
Расположение чипов:
одностороннее
Тип микросхем:
512Mx8
Число микросхем:
8
Конструкция
Низкопрофильный модуль: