плата расширения, PCI Express 3.0 x8 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5840/2100 MBps, случайный доступ: 1000000/140000 IOps
Основные
Бренд:
Samsung
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x8
Объём:
1.6 ТБ
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
плата расширения
Общая информация
Дата выхода на рынок:
2018
Технические характеристики
Время наработки на отказ (МТBF):
2000000
Охлаждение:
Да
Скорость последовательного чтения:
5840
Скорость последовательной записи:
2100
Средняя скорость случайного чтения:
1000000
Средняя скорость случайной записи:
140000
Толщина:
18.71
Энергопотребление (ожидание):
7.5
Энергопотребление (чтение/запись):
21