2.5", SAS 3, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1250/600 MBps
Основные
Бренд:
Samsung
Интерфейс:
SAS 3
Объём:
480 ГБ
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
2.5"
Технические характеристики
Время наработки на отказ (МТBF):
2000000
Скорость последовательного чтения:
1250
Скорость последовательной записи:
600
Средняя скорость случайной записи:
20000
Толщина:
15